한스 폰 카엘은 1978년 스위스 취리히의 ETH에서 자연과학 박사 학위를 취득했습니다. 주요 연구 분야는 저차원 자성, 액정, 반도체 광전기화학, 에피택셜 인터페이스 및 표면, 스캐닝 프로브 기술, 에피택셜 성장 등입니다. 1979년부터 1981년까지 미국 매사추세츠주 케임브리지에 있는 MIT에서 박사 후 연구원을 지냈으며, 1981년부터 2002년까지 취리히의 ETH에서 반도체 전기화학 및 Si 이종 구조 그룹을 이끌면서 저에너지 플라즈마 강화 화학 기상 증착(LEPECVD) 기술을 발명했습니다.
2002년부터 2007년까지 그는 Politecnico di Milano의 일반 물리학 교수였습니다. 이 기간 동안 그는 Como에 위치한 L-NESS에 반도체 이종 및 나노구조 연구소를 설립하고 지휘했습니다. L-NESS는 Politecnico di Milano와 2002년에 설립된 University of Milano Bicocca의 공동 연구 센터입니다. 2003년부터 2010년까지 그는 ETH 분사 회사인 EpiSpeed의 CTO였습니다. 그는 350개 이상의 과학 간행물과 15개의 특허 출원을 공동 저술했습니다.
